標題: 印度氮化鎵(GaN)半導體材料新創公司AGNIT Semic...
內容: 資料來源:Indian GaN startup explores global opportunities in telecom and EVs (digitimes.com)依據印度媒體Digi T...
資料來源:Indian GaN startup explores global opportunities in telecom and EVs (digitimes.com)
依據印度媒體Digi Times Asia報導,位於班加羅爾印度科學理工學院(Indian Institute of Science,IISc)育成中心之新創公司AGNIT Semiconductors正探索未來3至5年在無線通信、充電和電動車等領域之應用商機,將鎖定無線發射器、5G網路及電源管理等產品。
AGNIT首席執行長兼聯合創始人Hareesh Chandrasekar表示,該公司由材料科學家、工業設計工程師和應用技術人員所組成,擁有先進技術。渠亦看好氮化鎵較矽及砷化鎵等其他材料具有效率與性能優勢,如商用5G網路每個基地台都使用1個功率放大器,將低功率信號轉換為傳輸所須之高功率輸出,氮化鎵轉換效率約為60~65%,高於砷化鎵或矽等舊技術之40%。
氮化鎵之效率亦可應用於電動車之電源管理上,可提供更高之功率密度及更快充電速度,該公司對此技術於電動車之應用潛力亦表達高度興趣。
作為一家垂直整合製造商,AGNIT可根據客戶需求定製設備,以降低成本及開發時間,在性能優化、成本管理及快速供貨等均具備優勢。